上證報中國證券網訊（記者 覃秘）“第三代半導體技術水平持續提升，市場保持高速增長，行業投融資與擴產熱情不減，2023年全年僅SiC相關投資就超過千億元。”4月9日，第三代半導體產業技術創新戰略聯盟理事長吳玲在接受上證報記者采訪時表示。
當天，在2024九峰山論壇暨化合物半導體產業博覽會上，吳玲代表第三代半導體產業技術創新戰略聯盟發布《第三代半導體產業發展報告》（下簡稱“報告”）。
報告顯示，2023年，第三代半導體功率電子器件模塊市場達到153.2億元，同比增長45%；射頻電子器件模塊市場約102.9億元，同比增長16.2%；LED器件市場782.2億元，同比微增0.5%。
新能源汽車為市場增長的主要驅動力。據統計，在功率電子器件模塊市場，來自新能源汽車的業務占比超過70%。
面對巨大的市場需求，車企紛紛布局第三代半導體業務。如比亞迪借助子公司比亞迪半導體重金投入，蔚來建設了SiC功率模塊工藝試驗線；三大汽車央企均選擇合資模式，如上汽集團與英飛凌合資成立上汽英飛凌，上汽集團還與上海微技術工業研究院成立上海汽車芯片工廠中心；此外，一批汽車企業選擇戰略投資功率半導體企業，如小鵬投資天岳先進和瞻芯電子。
報告還顯示，2023年，第三代半導體功率電子領域融資項目78起，披露金額約440億元，相較于2022年的披露金額63.2億元大幅增長。行業內出現多起大額融資，如積塔半導體融資135億元、長飛先進融資超38億元，三安光電獲股東增資100億元等。
吳玲介紹，國內第三代半導體技術和產業取得顯著進步。國產6寸襯底+外延實現批量生產，國內主流廠商8英寸SiC襯底基本完成送樣，預期在2025年前后量產；國產SiC MOSFET在光、儲、充領域全面開始導入，汽車主驅2024小批量導入；企業開始布局或開發溝槽柵SiC MOSFET，三安集成、中車時代，積塔、華為、華潤微、士蘭微等都規劃開發溝槽柵SiC MOSFET，多個企業已獲得相關專利。
吳玲同時提到，當前，我國第三代半導體技術和產業發展面臨著諸多挑戰，如核心材料和器件的規模化生產能力亟待突破；開放的、企業深度有效參與的研發中試和驗證平臺能力有待提升；企業小、散、弱，低水平同質競爭，產業集中度低，產業體系和生態亟待完善；標準、檢測認證、質量評價體系、各層次人才隊伍相比產業發展滯后，亟需加強等。
